鈦靶材并不是普通的材料，它是純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。下面給大家介紹一下鈦靶靶材的主要性能要求。

　　一、純度

　　純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能有很大的影響。但在實際應(yīng)用中，靶材的純度要求不盡相同。例如，隨著微電子工業(yè)的快速發(fā)展，硅片的尺寸由6英寸、8英寸發(fā)展到12英寸，而布線寬度由0.5um減小到0.25um、0.18um甚至0.13um。以前，99.995%的目標純度可以滿足0.35um IC的工藝要求，而0.18um線的制備則需要99.999%甚至99.9999%的目標純度。

　　二、雜質(zhì)含量

　　雜質(zhì)含量目標固體中的雜質(zhì)和孔隙中的氧、水蒸氣是主要的污染源。不同的靶材對不同的雜質(zhì)含量有不同的要求。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用純鋁和鋁合金靶材對堿金屬含量和放射性元素含量有特殊要求。

　　三、密度

　　為了減少靶材中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶的密度不僅影響濺射速率，而且影響薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶密度越高，薄膜性能越好。另外，提高靶材的密度和強度可以使靶材更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。密度也是目標的關(guān)鍵性能指標之一。

　　四、晶粒尺寸和晶粒分布

　　通常目標材料是多晶結(jié)構(gòu)，晶粒尺寸可以從微米到毫米。對于同一靶材，小晶粒靶材的濺射速率比大晶粒靶材快，而小晶粒差靶材（均勻分布）沉積的薄膜厚度分布更均勻。